技術(shù)編號：6761009
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲器器件，它具有使得用戶可以改變半導(dǎo)體器件的頁長的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明涉及用于改變半導(dǎo)體器件的頁長的電路和方法，其中，尋址方案和控制電路使能選擇性地激活存儲單元陣列的存儲陣列單元塊的一個或多個對應(yīng)的字線(具有相同的行地址)，以便因此按照指定的操作模式來改變頁長。背景技術(shù) 當(dāng)前，半導(dǎo)體存儲器器件向不同的操作模式提供廣泛的應(yīng)用。例如，同步半導(dǎo)體存儲器器件(諸如SDRAM(同步動態(tài)隨機存取存儲器))可以支持使用模式寄存器組(MRS)的可變的列...
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