技術編號：6760162
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及執(zhí)行用于保持存儲單元陣列的數據的刷新動作的半導體存儲裝置，特別涉及使用開關機構適宜地切換控制位線的連接狀態(tài)而進行刷新動作的半導體存儲裝置。背景技術 作為DRAM等半導體存儲裝置的一般性構成，可知有將存儲單元陣列分成多個組、進而將各組分割配置成多個單位塊的構成。在各個單位塊中，由在多條字線和多條位線的交點形成的存儲單元存儲保持數據。在現(xiàn)有的DRAM中，例如在單位塊的兩側配置有由多個讀出放大器構成的讀出放大器列。另外，還提出了一種在單位塊和讀出放大器...
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