技術(shù)編號：6758392
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲裝置，特別是涉及通過使ROW(行)冗長、COLUMN(列)冗長不能救濟的殘余缺陷單元的刷新周期短于正常單元的刷新周期來救濟缺陷單元，并且對測試時間的縮短、制造成品率的提高有利的。背景技術(shù) 圖8是表示現(xiàn)有半導體存儲裝置的構(gòu)成的圖。在圖8中，1是存儲器單元陣列，構(gòu)成了分為多段的救濟單位的存儲器陣列。在圖8中，對于存儲器單元陣列，ROW分為4段，COLUMN分為2段。由周邊電路2生成的ROW地址被輸入給開關(guān)(多路復用器)3，開關(guān)3的輸出被輸入...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。