技術(shù)編號(hào)：6758318
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種包括讀出放大器以讀出存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù) 關(guān)于由一個(gè)晶體管和包括溝槽式電容器或堆疊式電容器的一個(gè)電容器構(gòu)成的常規(guī)DRAM單元，有這樣的擔(dān)憂即隨著它變得更細(xì)它的制造可能變得困難。作為將來DRAM單元的候選，新的存儲(chǔ)單元FBC(浮體單元)被提出(參見日本專利申請(qǐng)公開2003-68877和2002-246571號(hào))。在FBC中，多數(shù)載流子在SOI(絕緣體硅)等上所形成的FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的浮體中形成，以便存儲(chǔ)信息。在這種F...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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