技術(shù)編號：6757143
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，更為具體地，涉及具有存儲(chǔ)單元陣列的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，在該存儲(chǔ)單元陣列中，以矩陣形式設(shè)置多個(gè)存儲(chǔ)單元并且將所述多個(gè)存儲(chǔ)單元?jiǎng)澐殖啥鄠€(gè)扇區(qū)。背景技術(shù) 諸如快速EEPROM的常規(guī)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器利用各種高電壓來實(shí)現(xiàn)編程/擦除和讀操作。為了產(chǎn)生這些高電壓，通常使用用于升壓電源電壓和輸出高電壓的升壓電路。因此，廣泛使用具有內(nèi)置升壓電路的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(例如，參見日本特開平專利公開No.5-290587，第4-5頁，圖1)...
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