技術(shù)編號：6757057
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲裝置，特別涉及SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)。背景技術(shù) 近年來，由于微細加工技術(shù)的進步與系統(tǒng)性能提高的要求，半導(dǎo)體存儲裝置謀求大容量化與高速化。圖8是表示SRAM的一個例子的電路圖。多個存儲單元(MC)在行方向上配置。所述多個存儲單元以規(guī)定個數(shù)平均分割形成多個子陣列。在子陣列上設(shè)有字線(WL)本地位線對(LBL，/LBL)。子陣列的存儲單元連接于本地位線對和分別對應(yīng)的字線(WL)上。在本地位線上連接寫入電路和預(yù)充電(pre-charge...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。