技術(shù)編號(hào)：6755540
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù) 人們始終在積極降低半導(dǎo)體芯片和宏命令(macro)的有效功率和/或者待機(jī)(standby)功率。半導(dǎo)體在移動(dòng)式應(yīng)用和便攜式應(yīng)用中的不斷增加指明了這個(gè)當(dāng)前焦點(diǎn)。因此，需要對(duì)存儲(chǔ)器芯片和宏命令進(jìn)行智能功率管理。過去，在Varadi的題為“Quasi-Static MOS Memory Array WithStandby Operation”的第4,120,047號(hào)美國專利中，描述了存儲(chǔ)器更新操作的功率管理。Varadi的專利描述了MOSFET存儲(chǔ)器陣...
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