技術(shù)編號：6753667
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器件和存儲器系統(tǒng)，它們特別適用于偽靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器(pseudo-SRAM)。背景技術(shù) 偽SRAM是半導(dǎo)體存儲器件之一，其中用于存儲數(shù)據(jù)的存儲單元是由和DRAM(動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)相同的單元組成的，而它的外部接口與SRAM相互兼容。偽SRAM具有與SRAM相比，以更低的位開銷實現(xiàn)更大容量的DRAM特性，并且具有和SRAM一樣的可用性，因此實現(xiàn)了系統(tǒng)設(shè)計的容量和便利性的提高。例如，低功率(低功耗)的偽SRAM被用作蜂窩電話的存儲器(R...
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