技術(shù)編號：6753140
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲裝置，尤其適用于在存儲單元中使用了鐵電體電容的鐵電體存儲器中。背景技術(shù) 近年來，隨著便攜機器的普及，即使不供給電源也能夠保持所存儲的數(shù)據(jù)的非易失性存儲器，作為取代如果不持續(xù)供給電源則存儲于存儲器的數(shù)據(jù)就會消失的DRAM(動態(tài)隨機存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)等易失性存儲器而倍受關(guān)注。雖然EPROM(可擦寫只讀存儲器)和閃存(Flash)等作為非易失性存儲器已經(jīng)被廣泛使用，但由于都在寫入數(shù)據(jù)時需要很多時間，所以在作為可讀寫存儲器來使...
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