技術(shù)編號(hào)：6751915
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù) 典型的常規(guī)靜態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置是SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。圖3是示出常規(guī)SRAM的存儲(chǔ)單元陣列的圖。如圖3所示，n個(gè)存儲(chǔ)單元CELL0、CELL1、…、CELLn(以下稱為存儲(chǔ)單元CELL)與一對位線BL和XBL連接。位線BL和XBL均通過預(yù)充電p-MOSFET 51與電源電壓(Vdd)連接。預(yù)充電消除信號(hào)φ的信號(hào)線與p-MOSFET 51的柵極端子連接，以使p-MOSFET 51由預(yù)充電消除信號(hào)φ進(jìn)行接通/斷開控制。注意，位...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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