技術(shù)編號：6751655
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)，具體地說，涉及一種雙端口靜態(tài)存儲器單元和包括該單元的半導(dǎo)體存儲器裝置。背景技術(shù) 通常，現(xiàn)有雙端口靜態(tài)存儲器單元包括一字線、一對位線和六個(gè)晶體管，這六個(gè)晶體管連接在掃描控制線和掃描位線間，以便于讀操作和掃描(讀)操作可同步進(jìn)行。圖1圖示了現(xiàn)有的雙端口靜態(tài)存儲器單元，其包括NMOS晶體管N1、N2、N3和N4以及PMOS晶體管P1和P2。參照圖1，NMOS晶體管N1的柵極連接到字線WL，源極(漏極)連接到結(jié)點(diǎn)n1，...
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