技術(shù)編號(hào)：6751286
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有冗余挽救電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。背景技術(shù) 為了提高產(chǎn)品率，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)等半導(dǎo)體器件除常規(guī)存儲(chǔ)單元陣外，通常還裝載預(yù)先準(zhǔn)備的存儲(chǔ)單元陣。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的檢查工序中判斷為常規(guī)存儲(chǔ)單元陣內(nèi)存在有缺陷的存儲(chǔ)單元時(shí)，進(jìn)行“冗余性挽救”，將該缺陷處置換為預(yù)備存儲(chǔ)單元，使該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件作為合格品制成。下面說明已有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的技術(shù)。圖7示出已有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件(SRAM)的組成圖。圖7的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括存...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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