技術(shù)編號：6750680
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置和操作方法，具體地說，涉及這樣一種半導(dǎo)體存儲裝置和操作方法在其中存儲單元需要刷新儲存的數(shù)據(jù)、刷新操作在其內(nèi)執(zhí)行和該裝置以與靜態(tài)RAM相似的定時要求在其外部操作。隨機(jī)存取存儲器(RAM)裝置在通常所說的存儲單元的單個的可尋址元件陣列中存儲電子數(shù)據(jù)。在市場上流行的RAM單元的兩種基本類型是靜態(tài)RAM(SRAM)單元和動態(tài)RAM(DRAM)單元。SRAM單元具有靜態(tài)封閉結(jié)構(gòu)(例如包含6個晶體管、或4個晶體管和2個寄存器)，該結(jié)構(gòu)可長期...
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