技術(shù)編號(hào)：6750450
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，更具體地涉及用于降低半導(dǎo)體器件的功率消耗的方法和設(shè)備。背景技術(shù) 通常半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件特別是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件的領(lǐng)域非?；钴S并且在迅速發(fā)展。各種類型的半導(dǎo)體器件和子類型的半導(dǎo)體器件是已知的并且在商業(yè)上是可獲得的。由于計(jì)算機(jī)和基于計(jì)算機(jī)的器件在消費(fèi)者和工業(yè)領(lǐng)域中的不斷普及和普遍存在，使得對(duì)于各種不同類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件的需求在可預(yù)見的將來將不斷增長(zhǎng)。在半導(dǎo)體制作領(lǐng)域中，一直存在的問題是通過薄膜電介質(zhì)層的電流漏泄。本...
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