技術(shù)編號(hào)：6749197
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，具體屬于帶同步復(fù)位高抗干擾保護(hù)裝置的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。常用的半導(dǎo)體存貯器有PROM，EPROM，E2PROM，DRAM和SRAM五大類(lèi)。其中PROM不能在線重寫(xiě)，而DRAM須動(dòng)態(tài)刷新，不能靜態(tài)隨機(jī)操作，E2PROM，SRAM可在線重寫(xiě)。E2PROM斷電后能保持?jǐn)?shù)據(jù)，SRAM加上后電池也能斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)。但是它們?cè)跀嚯姾蜕想姇r(shí)均會(huì)在不同程度上丟失和被隨機(jī)改寫(xiě)原有的數(shù)據(jù)。原因是控制總線在斷電，上電過(guò)程中不可避免地出現(xiàn)＂冒險(xiǎn)競(jìng)爭(zhēng)＂(因爭(zhēng)...
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