技術(shù)編號(hào)：6747537
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，特別涉及預(yù)先確定故障區(qū)地址和避免使用故障區(qū)地址的存儲(chǔ)器。隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器容量的增大，生產(chǎn)成品率下降。因此，已提出了一種力求避免使用故障地址的存儲(chǔ)器。日本特開平8-102529公開了這樣一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，該專利申請(qǐng)對(duì)應(yīng)于美國(guó)專利5596542。附附圖說明圖1展示了現(xiàn)有技術(shù)的該第一實(shí)例單元陣列的布局圖。DRAM采用包括主字線和子字線的雙字線結(jié)構(gòu)。所以，選擇字線時(shí)要根據(jù)主字線譯碼器列401和子字線譯碼器列402中的X(低)地址。圖2展示...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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