技術編號：6747526
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體集成電路，特別是涉及一種帶有用于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)等的反饋偏壓發(fā)生器的半導體集成電路。對于半導體集成電路，一般來說，該反饋偏壓發(fā)生器(在下文中稱為BBG)的應用很廣。特別對于DRAM，該BBG在防止存儲單元受到輸入電勢的脈沖破壞或減小基片的PN結的電容等方面具有重要的作用。該BBG接受向芯片提供的電源電壓，并產(chǎn)生另外一個不同于該電源電壓的基片電勢，這樣該BBG把該基片電勢加到半導體基片(在下文中只稱為“基片”)上。在傳統(tǒng)的例...
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