技術(shù)編號(hào)：6747462
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明與電壓發(fā)生器電路相關(guān)，更具體地說(shuō)，是與應(yīng)用于掩模型ROM的電壓發(fā)生器電路相關(guān)，這種存儲(chǔ)器帶有每位能儲(chǔ)存三個(gè)或更多值的多值存儲(chǔ)單元。能產(chǎn)生恒定電壓的電壓發(fā)生器電路能被應(yīng)用到諸如掩模型ROM(掩模型只讀存儲(chǔ)器)的存儲(chǔ)器。目前，為了提高ROM的集成度，提出將能在每位存儲(chǔ)和保持超過(guò)兩個(gè)值的多值存儲(chǔ)單元用于掩模型ROM。例如，通過(guò)離子注入能在多值存儲(chǔ)單元中設(shè)置四個(gè)閾值電壓稍高于接地電平的第一閾值電壓，稍高于第一閾值電壓的第二閾值電壓，稍高于第二閾值電壓并低于電...
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