技術(shù)編號(hào):6747134
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,特別是關(guān)于具備有用于補(bǔ)救不良存儲(chǔ)單元的冗余存儲(chǔ)單元且分割字線的分割字方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的擴(kuò)散工序雖然是在潔凈環(huán)境下進(jìn)行的,但還會(huì)因?yàn)槲⒚琢考?jí)的灰塵導(dǎo)致不良存儲(chǔ)單元的產(chǎn)生。因此,為了對(duì)在芯片內(nèi)部產(chǎn)生的不良存儲(chǔ)單元進(jìn)行補(bǔ)救,在大多數(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中都具備有冗余存儲(chǔ)單元。為了向這樣的冗余存儲(chǔ)單元進(jìn)行替換,當(dāng)擴(kuò)散工序完成后,用測(cè)定器進(jìn)行存儲(chǔ)測(cè)試,會(huì)檢測(cè)出普通存儲(chǔ)單元陣列內(nèi)的不良單元。不良單元有位單元不良,還有沿著字線...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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