技術(shù)編號(hào)：6746984
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，具體涉及如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器那樣的具有冗余存儲(chǔ)單元和熔絲的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，冗余存儲(chǔ)單元和熔絲用來(lái)存儲(chǔ)已壞存儲(chǔ)單元的地址數(shù)據(jù)。由于現(xiàn)今隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的密度和復(fù)雜度不斷提高，使制造在內(nèi)部存儲(chǔ)單元陣列內(nèi)完全沒(méi)有缺陷的RAM愈加困難。因此，為了提高成品率，一部分存儲(chǔ)單元陣列被設(shè)計(jì)成冗余存儲(chǔ)區(qū)。當(dāng)確定輸入地址正好對(duì)應(yīng)于主存儲(chǔ)器的損壞部分時(shí)，冗余存儲(chǔ)區(qū)中的存儲(chǔ)單元便會(huì)被訪問(wèn)。芯片上設(shè)計(jì)邏輯電路來(lái)貯存主存儲(chǔ)器中損壞部分的地址從而利于向...
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