技術(shù)編號：6746264
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及靜態(tài)存儲器，尤其涉及具有單獨一條位線的四器件靜態(tài)隨機訪問存儲器裝置。已經(jīng)設計并開發(fā)了各種靜態(tài)隨機訪問存儲器(SRAM)單元的結(jié)構(gòu)，為了在需要更小的陣列尺寸的地方通過刪除某些器件來達到減小芯片面積的目的。附圖說明圖1中示出了一個當前技術(shù)中采用的基本六晶體管全CMOS SRAM單元10。單元10中以電位的形式來存儲數(shù)據(jù)，其中雙穩(wěn)態(tài)晶體管觸發(fā)器(即鎖存器)的兩邊是相反的電壓結(jié)構(gòu)。例如，在某個狀態(tài)下節(jié)點A為高而節(jié)點B為低；反之，在相反的狀態(tài)下節(jié)點A為低而...
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