技術(shù)編號(hào)：6745972
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電路裝置，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及接受外部電源電壓，具有正常方式和測(cè)試方式的半導(dǎo)體電路裝置。當(dāng)前，作為一種半導(dǎo)體電路裝置，提供了DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。最近，為了減少耗電，提供了備有把外部電源電壓(例如，5伏)降壓，產(chǎn)生內(nèi)部電源電壓(例如，3.3伏)的內(nèi)部電源電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置.附圖說(shuō)明圖14為示出用于DRAM等的現(xiàn)有的內(nèi)部電源電路結(jié)構(gòu)的電路圖。參照?qǐng)D14，現(xiàn)有的內(nèi)部電源電路包括差分放大器3...
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