技術(shù)編號(hào):6745857
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到到一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,特別是涉及到一種適用于同步DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的配置。同步DRAM的一個(gè)重要特性是它遵循其它通用DRAM的結(jié)構(gòu)并可以使用低壓TTL接口以100MHz或更高的頻率觸發(fā)。另外,所述DRAM具有時(shí)鐘同步型特性并允許流水線操作,從而即使是在一個(gè)地址輸入和譯碼的周期期間內(nèi)也能夠傳輸一個(gè)段數(shù)據(jù)。為了滿足這些優(yōu)良的功能,例如在DRAM內(nèi)使用將時(shí)鐘頻率分成1/2所獲得的一個(gè)時(shí)鐘。因此,可以在不考慮外部時(shí)鐘輸入狀態(tài)的情況下使用外部...
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