技術(shù)編號(hào)：6745045
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，特別涉及閃速型非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，在其中設(shè)置了多個(gè)可擦除的和能夠以電的方式被作標(biāo)記的存儲(chǔ)單元晶體管。近來注意力集中到按照它們一瞬間的集中可擦除性而被稱為閃速存儲(chǔ)器的非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，所述閃速存儲(chǔ)器具有由場效應(yīng)晶體管(以后稱為存儲(chǔ)單元晶體管)組成的存儲(chǔ)單元矩陣，通過以電的方式改變晶體管的閾值電平使得可標(biāo)記或擦除這些存儲(chǔ)單元。在閃速型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，通常通過利用給存儲(chǔ)單元晶體管的源極施加高電壓、使控制柵極的電位為高電平和漏極浮置...
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