技術(shù)編號(hào)：6743684
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。近年來，隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的大容量化，存儲(chǔ)單元的高密度化及高集成化不斷進(jìn)步。在這樣的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置中，由于一部分存儲(chǔ)單元失效而使全部存儲(chǔ)器失效所產(chǎn)生的制造成品率低成為大問題。作為避免該問題的方法，通過把主體存儲(chǔ)單元部分的失效存儲(chǔ)單元置換成冗余存儲(chǔ)單元，使之成為合格品，這種補(bǔ)救方法作為有效方法正加以采用。下面，對備有冗余存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的一般構(gòu)成，參照圖21進(jìn)行說明。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置由下述部分構(gòu)成存儲(chǔ)信...
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