技術編號：6741367
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，特別涉及具有由通過電 壓脈沖的施加而在低電阻狀態(tài)和電阻值比該低電阻狀態(tài)高的高電阻狀態(tài)之間可逆地轉變 的電阻變化元件、和以二極管元件為代表的電流控制元件構成的存儲單元的電阻變化型非 易失性存儲裝置及其驅動方法。背景技術近年來，伴隨著半導體微細加工技術的進步，存儲裝置(存儲器)的高密度化、大容 量化顯著推進。在非易失性存儲裝置的領域，F(xiàn)LASH存儲器、EEPROM的技術性進步(例如微 細化)令人矚目，成本也不斷降低，但是FLASH存儲器的微細化也在...
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