技術(shù)編號(hào)：6740338
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及基于負(fù)微分電阻特性的混合SET/CM0S靜態(tài)存儲(chǔ)單元。背景技術(shù)當(dāng)MOS管的特征尺寸隨著摩爾定律的發(fā)展進(jìn)入IOOnm以后，其可靠性及電學(xué)特性由于受到量子效應(yīng)的影響面臨著諸多的挑戰(zhàn)。存儲(chǔ)器作為當(dāng)今IC產(chǎn)業(yè)最重要的設(shè)備 之一，隨著MOS管特征尺寸的逐漸縮小，其穩(wěn)定性和集成度也面臨著挑戰(zhàn)。單電子晶體管(single-electron transistor, SET)作為新型的納米電子器件,有望成為MOS管進(jìn)入納米領(lǐng)域后的有力替代者。SET由庫(kù)侖島、柵...
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