技術(shù)編號(hào)：6739575
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。交叉引用相關(guān)申請本申請基于在先的日本專利申請No.2001-272073(2001年9月7日申請)并要求其優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容包含于此。圖3是表示一例由雙疊層結(jié)構(gòu)的NMOS晶體管構(gòu)成的單元的剖面圖。在圖中，30是P型襯底，31是N型阱，32是在N阱中形成的P型阱。在N型阱31中，引出阱的電極由N+型的擴(kuò)散層33形成。而在P型阱32中，由N+型的擴(kuò)散層34來形成NMOS晶體管的源極S和漏極D，由P+型的擴(kuò)散層35形成引出阱的電極。然后，在襯底30上，在柵極絕緣膜3...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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