技術(shù)編號：6739159
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。示例性實施例涉及一種，更具體而言，涉及編程操作中的去俘獲(detrap)方法。背景技術(shù)半導體器件包括用于存儲數(shù)據(jù)的多個存儲器單元。為了在存儲器單元中存儲數(shù)據(jù)，執(zhí)行編程操作。在編程操作中，一些電子被俘獲在特定的層中，且被俘獲的電子能夠惡化存儲器單元的電特性。以下參考圖I來描述這種電子俘獲現(xiàn)象。圖I是示出常規(guī)編程操作的特征的存儲器單元的截面圖。如圖I所示，存儲器單元包括順序?qū)盈B在半導體襯底11之上的隧道絕緣層13、電荷俘獲層14、電介質(zhì)層15以及控制柵極16。...
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