技術(shù)編號(hào)：6738949
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于在包括離子源層和電阻變化層的存儲(chǔ)層中觀察到的電特性的任何變化而存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)元件和存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù)常用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器為NOR型或NAND型閃存。關(guān)于這種半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器，通過對(duì)其中的存儲(chǔ)元件及驅(qū)動(dòng)晶體管進(jìn)行微細(xì)加工，已作出很多努 力以增大其容量。然而已指出的是，考慮到需要高的寫入和擦除電壓以及注入浮動(dòng)?xùn)胖械碾娮拥臄?shù)量限制，半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器存在微細(xì)加工方面的限制。為了克服這種對(duì)微細(xì)加工的限制，目前提出的下一代非易...
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