技術編號：6738566
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及存儲器領域，更具體的，涉及相變隨機存取存儲器中錯誤校驗與糾錯編碼方法，尤其是固定錯誤的校驗與糾錯方法。背景技術相變隨機存取存儲器(PhaseChange Random Access Memory，PCRAM)是一種新型的隨機存儲技術，也是作為下一代存儲器的最有力競爭者。其通過存儲介質(zhì)材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間的導電性差異來存儲數(shù)據(jù)比特“0”和“ 1 ”。PCRAM介質(zhì)在生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生壞位(bit)，為確保PCRAM存儲數(shù)據(jù)的可靠性，一般需要在應用系...
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