技術(shù)編號(hào):6738411
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體來(lái)說涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置,且更特定來(lái)說涉及用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)。背景技術(shù)半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)歷了已準(zhǔn)許半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的密度及/或復(fù)雜性增加的技術(shù) 進(jìn)步。此外,所述技術(shù)進(jìn)步已允許各種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的功率消耗及封裝大小減小。持續(xù)的趨勢(shì)是采用及/或制作使用改進(jìn)性能、減小泄漏電流且增強(qiáng)總體縮放的技術(shù)、材料及裝置的高級(jí)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。絕緣體上硅(SOI)襯底及塊體襯底為可用來(lái)制作此些半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的材料的實(shí)例。舉例來(lái)說,此些半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝...
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