技術(shù)編號(hào):6737006
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高密度的反熔絲儲(chǔ)存元件和存儲(chǔ)器,特別涉及,高密度的反熔絲儲(chǔ)存元件于兩個(gè)垂直交叉導(dǎo)體的介電質(zhì)擊穿應(yīng)用,本應(yīng)用適于標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)式金氧半晶體管(CMOS) 工藝下,增加最少的掩膜數(shù)量,以及減少儲(chǔ)存元件的大小和成本。背景技術(shù)反熔絲是一次性可編程元件(OTP)的一種,此種元件只能編程一次。特別的是,反熔絲編程元件于制造后具有高阻抗?fàn)顟B(tài),而編程后則具有低阻抗?fàn)顟B(tài)。相反來(lái)說(shuō),一個(gè)熔絲元件,于制造后具有低阻抗?fàn)顟B(tài),而編程后則具有高阻抗?fàn)顟B(tài)。最常用的反熔絲元件是金氧半...
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