技術(shù)編號：6736754
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及放大器感測(sense)。背景技術(shù)通常，用于SRAM存儲器單元的單端感測需要讀位線的全擺幅。然而，對全擺幅進(jìn)行顯影，尤其是在將位線連接至大量存儲器單元導(dǎo)致讀位線具有大負(fù)載的情況下，需要花費時間。在感測之前等待將顯影的全擺幅，導(dǎo)致讀操作緩慢。發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問題，本發(fā)明提出了一種電路，包括第一讀位線，連接第一存儲器陣列的多個第一存儲器單元和第一參考單元；第一讀位線具有第一讀位線電壓；第二讀位線，連接第二存儲器陣列的多個第二存儲器單元和第二參考單...
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