技術編號：6736746
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及微電子行業(yè)存儲器，尤其涉及一種快閃存儲器限流裝置及應用該裝置的快閃存儲器。背景技術一般來說，在快閃存儲單元的源極、漏極和控制柵極施加適當的電壓，電荷就會被儲存或者被移除，因此數據就可以以這種電荷的形式存儲在存儲單元中或自存儲單元擦除。電荷在浮動柵極上的出現或消失，決定當存儲單元被選擇時，電流是否在源極和漏極區(qū)域之間流動。通過判斷存儲單元中源極和漏極區(qū)域之間電流的大小，來區(qū)分存儲的內容是“O”還是“I”。典型地，快閃存儲單元在陣列中的位線連接任一特...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。