技術(shù)編號(hào)：6545436
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括襯底以及所述襯底上的n×m個(gè)陣列的子MOS結(jié)構(gòu)，每一所述子MOS結(jié)構(gòu)包括柵極以及有源區(qū)；第i行、第j列的所述子MOS結(jié)構(gòu)還包括柵極通孔以及有源區(qū)通孔；n≥3，m≥3，1＜i＜n，1＜j＜m，n、m、i、j均為正整數(shù)。本發(fā)明還提供一種測(cè)試結(jié)構(gòu)的版圖生成方法。在所述測(cè)試結(jié)構(gòu)中，第i行、第j列的所述子MOS結(jié)構(gòu)作為待測(cè)試的MOS管，其余的所述子MOS結(jié)構(gòu)作為冗余MOS管，提高所述測(cè)試結(jié)構(gòu)中的圖形密度分布的均勻型，使得所述測(cè)試結(jié)構(gòu)在制...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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