技術(shù)編號(hào)：6436124
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，特別是有關(guān)于一種具有增強(qiáng)測(cè)試能力的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，用以發(fā)現(xiàn)在排插置模式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置操作中的錯(cuò)誤。背景技術(shù) 一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。假如在半導(dǎo)體裝置中的任意一個(gè)單元超出操作順序，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置是無法使用的。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置制造過程之后，在此是需要一個(gè)測(cè)試程序用來發(fā)現(xiàn)在此半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的瑕疵單元。一般來說，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有一個(gè)附加用在測(cè)試電路的區(qū)域，此電路能在半導(dǎo)體裝置處于高速時(shí)測(cè)試所有的單元(cel...
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