技術編號：6364243
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)儲存結構與方法,特別涉及一種應用于閃存(flash memory) 中的可改善數(shù)據(jù)存取效能與錯誤涵蓋率的數(shù)據(jù)儲存結構與方法。背景技術現(xiàn)今將閃存大量應用于消費性電子產(chǎn)品的趨勢，已然越來越明顯。但是，因受限于閃存的順序存取設計結構，除非閃存本身能提供部分讀(partial read)與部分寫(partial write)功能以提高存取效能，否則以目前公知存取閃存中數(shù)據(jù)的儲存結構與存取方法，皆無法明顯有效提高存取效率。這種情形，在越來越講求高速...
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