技術(shù)編號：6349850
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一單芯片低電壓高讀取速度非易失性的內(nèi)存(NVM)，尤其是使用NAND 單元結(jié)構(gòu)、單元操作方式和生產(chǎn)制程為基礎(chǔ)的雙晶體管N0R(2T-N0R)閃存的設(shè)計(jì)。背景技術(shù)非易失性內(nèi)存是本的現(xiàn)有技術(shù)。非揮發(fā)性內(nèi)存的類型包括屏蔽只讀存儲器(mask ROM)、電子可編程只讀存儲器(EPROM)、電子可抹除可編程只讀記憶(EEPROM)體、 NOR閃存和NAND閃存。目前，在諸如個人數(shù)字助手、手機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、錄音機(jī)以及全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPQ等等的應(yīng)用中，閃...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
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