技術(shù)編號：6297738
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，具體的說是涉及一種用于SOI高壓PMOS器件的仿真電路及其仿真方法。本發(fā)明的一種用于SOI高壓PMOS器件的仿真電路，包括PMOS管，其特征在于，所述PMOS管的漏極與可變電壓源Vnh連接、襯底與固定電壓源VHV連接、柵極與源極接地。本發(fā)明的有益效果為，高壓PMOS管的源級與襯底之間的電勢差始終為固定的應(yīng)用高壓電源電壓VHV，該電勢差大小等于襯底所加固定電壓值，本發(fā)明提供的SOI高壓PMOS管擊穿電壓仿真電路及方法彌補了常規(guī)仿真電路及...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。