技術(shù)編號：6285900
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及形成于半導(dǎo)體器件上的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路和基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路，特別是涉及使用MOS晶體管構(gòu)成的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路和基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路，這些電路形成于例如使用比電源電壓還低的基準(zhǔn)電壓的半導(dǎo)體器件上。背景技術(shù) 以往，作為對溫度的依賴性和電源電壓的依賴性不大的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路而為人熟知的能帶間隙基準(zhǔn)(BGR)電路，由于產(chǎn)生與硅的能帶間隙大致相等的基準(zhǔn)電壓，故被命名為能帶間隙基準(zhǔn)電路，在要得到高精度的基準(zhǔn)電壓的情況下經(jīng)常被人們使用。使用形成于半導(dǎo)體器件上的現(xiàn)有的雙...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。