技術(shù)編號：6128596
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用晶片集中探頭進(jìn)行老化及檢査的半導(dǎo)體檢查工序中的半 導(dǎo)體集成電路及半導(dǎo)體集成電路的檢査方法。背景技術(shù)以往，在半導(dǎo)體器件或晶片中，為了對制造初期產(chǎn)生的不合格品進(jìn)行篩選， 通過在高溫、高電壓條件下使半導(dǎo)體器件或晶片動作，來進(jìn)行加速試驗，并將 這稱為老化。近年來，多以晶片級進(jìn)行集中老化的技術(shù)(以下，稱為晶片級老化)。在晶 片級老化中，對器件的電源電極及多個輸入輸出電極分別輸入高電壓及信號， 使其動作，從而進(jìn)行檢査。另外，在半導(dǎo)體集成電路中，由于工藝微...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。