技術(shù)編號(hào):6014526
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)及應(yīng)用此結(jié)構(gòu)的特性測(cè)量方法,尤其涉及測(cè)量半導(dǎo)體芯片中低介電常數(shù)電介質(zhì)的電特性的測(cè)試結(jié)構(gòu)及應(yīng)用此結(jié)構(gòu)的特性測(cè)量方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路工業(yè)蓬勃發(fā)展,集成電路材料的技術(shù)演進(jìn)造就了集成電路的世代交替,新的集成電路世代擁有更小的體積,更復(fù)雜的電路架構(gòu)。然而這些進(jìn)步同時(shí)也使得集成電路制造工藝的復(fù)雜度顯著提升。因此為了實(shí)現(xiàn)集成電路的微縮,集成電路制造工藝的發(fā)展也是必然的趨勢(shì)。集成電路的演進(jìn)的路上,功能密度(functional den...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。