技術編號：5912253
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及預測MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的測量尺寸(柵長/柵寬)的內部尺寸的MOSFET的電氣特性的技術。背景技術 在MOS晶體管的電路設計模擬時，通常，準備已規(guī)定了多個MOS晶體的溝道長/寬尺寸的模型參數集，對于在電路設計中使用的各個晶體管的溝道長/寬尺寸，選擇認為是最佳的模型參數集。然后，用該選擇的模型參數集進行電路模擬(示例見專利文獻1特開平10-65159號公報)。另外，在電路模擬的表格模型(table model)中也同樣測量有...
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