技術(shù)編號：587674
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于除去在半導體器件的制造工序中的干蝕刻和/或灰化(ashing) 時形成的殘渣的藥液、使用該藥液除去這些殘渣的方法和使用該藥液除去這些殘渣的半導 體器件的制造方法。特別涉及在Cu/Low-k多層配線結(jié)構(gòu)的制造中使用的殘渣除去液。背景技術(shù)一直以來，作為配線材料使用Al或Al合金等、作為層間絕緣膜使用SiO2膜的Al/ SiO2多層配線結(jié)構(gòu)的半導體器件作為核心制作。近年來，為了減少伴隨半導體器件的微細 化而引起的配線延遲(interconnect ...
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