技術(shù)編號：570036
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 概括而言，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及在基底上形成含釕薄膜的方法。 背景技術(shù) 釕和釕化合物(例如氧化釕)被認為是有希望在下一代DRAM中用作電容器電極材料的材料。當前，使用例如氧化鋁、五氧化二鉭、二氧化鉿和鈦酸鍶鋇(BST)的高介電常數(shù)材料(也稱為高k材料)制造這些電容器電極。然而，這些高k材料使用高達600℃的溫度制造，這導(dǎo)致多晶硅、硅和鋁的氧化，并致使電容損失。另一方面，釕和氧化釕都表現(xiàn)出高的抗氧化能力和高的電導(dǎo)率，并適于用作電...
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