技術(shù)編號(hào)：5291124
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，屬于納米薄膜制備。背景技術(shù)目前，二氧化鈦納米管陣列不僅具有更高的比表面積，且納米管陣列的定向分布更有利于光生電子與空穴的分離，更為重要的是納米管陣列薄膜更有利于后續(xù)的回收，因此二氧化鈦納米管陣列相比于納米粉體在光催化、染料敏化電池、以及生物醫(yī)用材料等領(lǐng)域具有更廣闊的應(yīng)用前景。但現(xiàn)有的制備二氧化鈦納米管陣列的方法大多采用陽(yáng)極氧化技術(shù) 在鈦基片原位制備高度有序的二氧化鈦納米管陣列薄膜，傳統(tǒng)的二氧化鈦納米管陣列的比表面積僅與二氧化鈦納米管的幾何尺寸有...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。