技術(shù)編號(hào):5283641
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及;采用三個(gè)電鍍槽,利用三電極體系進(jìn)行控電位沉積;先將二次陽(yáng)極氧化鋁膜電極置于NiFe電鍍槽中,控電位沉積NiFe合金,經(jīng)超聲清洗,快速轉(zhuǎn)換至Cu電鍍槽中,控電位沉積Cu,后經(jīng)超聲清洗,快速轉(zhuǎn)換至Co電鍍槽中,控電位沉積Co,然后經(jīng)超聲清洗,快速轉(zhuǎn)換至Cu電鍍槽中,控電位沉積Cu,為1個(gè)周期,如此重復(fù),獲得NiFe/Cu/Co/Cu多層納米線。利用本發(fā)明方法制備的NiFe/Cu/Co/Cu自旋閥多層納米線的巨磁電阻(GMR)效應(yīng),可制作高密度磁隨機(jī)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。