技術(shù)編號:5276814
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及從使用過的銦-錫氧化物(ITO)濺射靶或制造時(shí)產(chǎn)生的 ITO邊角料等ITO廢料(本說明書中,將這些統(tǒng)稱為"ITO廢料")中回 收有價(jià)金屬的方法。背景技術(shù)近年來,銦-錫氧化物(In203-Sn02,通常稱為ITO)濺射靶廣泛用于 液晶顯示裝置的透明導(dǎo)電性薄膜或氣體傳感器等,多數(shù)情況下使用利 用濺射法的薄膜形成方法在基板等上形成薄膜。該利用濺射法的薄膜形成方法是優(yōu)良的方法,但當(dāng)使用濺射靶形 成例如透明導(dǎo)電性薄膜時(shí),該靶并不是均勻地消耗。該靶的一部分消...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。