技術(shù)編號：5271984
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本專利屬于半導體納米材料制備領(lǐng)域，具體涉及一種利用硫脲溶液刻蝕制備ZnO納米結(jié)構(gòu)的方法，特別涉及提出一種與傳統(tǒng)自下而上(bottom-up)法相反的方法即自上而下(top-down)來制備ZnO納米結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù)納米材料的制備方法主要分為兩種途徑自上而下(top-down)和自下而上(bottom-up)。自上而下(top-down)是采用大塊晶體通過腐蝕、刻蝕或者研磨的方式獲得納米材料。自下而上(bottom-up)是從原子或分子出發(fā)來控制、組裝或...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。